激光直写光刻是利用强度可变的激光束对基片表面的抗蚀材料实施变剂量曝光显影后在抗蚀层表面形成所要求的浮雕轮廓。
激光直写光刻是利用强度可变的激光束对基片表面的抗蚀材料实施变剂量曝光显影后在抗蚀层表面形成所要求的浮雕轮廓。
激光直写系统的基本工作原理是由计算机控制高精度激光束扫描,在光刻胶上直接曝光写出所设计的任意图形,从而把设计图形直接转移到掩模上。激光直写系统主要由He-Cd激光器、声光调制器、投影光刻物镜、CCD摄像机、显示器、照明光源、工作台、调焦装置、He-Ne激光干涉仪和控制计算机等部分构成。激光直写的基本工作流程是:用计算机产生设计的微光学元件或待制作的VLSI掩摸结构数据;将数据转换成直写系统控制数据,由计算机控制高精度激光束在光刻胶上直接扫描曝光;经显影和刻蚀将设计图形传递到基片上。激光直写光刻技术受限于激光波长,在光刻精度上不如电子束、离子束等带电粒子光刻技术,无法满足高端半导体器件制造的需求,但在光伏领域较为适用。目前激光直写的方式在光伏电镀铜领域更被广泛关注和应用。
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