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蚀刻后产品等待脱膜

光刻胶的保护功能已经完成,脱膜工序通过脱膜液去除多余光刻胶。 

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图形转移后,光刻胶就不再需要了,因此需要将其去除干净。去胶的方法通常有湿法和干法两种。湿法就是利用有机溶剂或者对光刻胶有腐蚀作用的溶液将光刻胶溶解或者腐蚀掉,从而达到去胶的目的,这里,去胶液的选择需要遵循与衬底反应或者不损伤衬底为前提条件。干法去胶是利用氧等离子体将光刻胶灰化掉,从而达到去胶的目的。

湿法和干法
无论干蚀刻还是湿蚀刻结束之后,都必须将所成线路上覆盖的光阻去除。相应的会使用脱膜液将光阻分离出来并去除,保证下一道成膜顺利进行。
无论干蚀刻还是湿蚀刻结束之后,都必须将所成线路上覆盖的光阻去除。相应的会使用脱膜液将光阻分离出来并去除,保证下一道成膜顺利进行。

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